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IXTN22N100L
20
18
Fig. 7. Input Admittance
14
Fig. 8. Transconductance
16
12
T J = - 40oC
14
T J = 125oC
25oC
10
12
- 40oC
8
25oC
10
8
6
6
4
125oC
4
2
2
0
0
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0
5
10
15
20
25
30
35
40
70
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
V DS = 500V
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
60
14
12
I D = 11A
I G = 10mA
50
10
40
8
30
6
T J = 125oC
20
10
0
T J = 25oC
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
40
80
120
160
200
240
280
10,000
1,000
100
10
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
Crss
1.000
0.100
0.010
0.001
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Pulse Width - Second
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